低壓成套開(kāi)關(guān)設(shè)備的溫升試驗(yàn)可以分為電路及裝置的試驗(yàn)。

　　溫升試驗(yàn)是驗(yàn)證設(shè)備在正常使用條件下戰略布局，通以額定電流重要意義，各部分的溫升值應(yīng)符臺(tái)有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。

　　裝在裝置內(nèi)部的操作手柄講道理，其溫升允許略高些引領。

　　除非另有規(guī)定，對(duì)可以接觸但正常工作時(shí)不需觸及的外殼和覆板更加廣闊，允許其溫升提高10K優化服務策略。

　　設(shè)備按正常使用情況放置，門示範、鎘板技術節能、覆板、蓋板都應(yīng)裝好發展基礎。

　　試驗(yàn)方案應(yīng)選擇損耗最大的方案延伸。

國(guó)電西高GDSL-A系列三相溫升大電流發(fā)生器

　　進(jìn)行單獨(dú)電路的溫升試驗(yàn)時(shí)，電路應(yīng)通以設(shè)計(jì)規(guī)定的額定工作電流要求。

　　進(jìn)行裝置的溫升試驗(yàn)時(shí)，在考慮了額定分散系數(shù)后，應(yīng)選擇一個(gè)或幾個(gè)有代表性的并能獲得高溫升的電路運行好，給這些電路通以各自設(shè)計(jì)規(guī)定的額定工作電流國際要求。

　　試驗(yàn)時(shí)輔助電路(包括繼電器、接觸器同期、脫扣器的線圈)應(yīng)加上設(shè)計(jì)規(guī)定的額定工作電壓新趨勢。

　　裝置中如果包含有熔斷器，試驗(yàn)時(shí)應(yīng)裝上適合于試驗(yàn)的熔體(由制造廠規(guī)定)共同努力。熔體的功率損耗保持競爭優勢、試驗(yàn)中所用的外接導(dǎo)體(導(dǎo)線)尺寸和布置情況應(yīng)寫入試驗(yàn)報(bào)告中。

　　測(cè)量部位包括：

　　(1)母線連接處以及其他元器件與母線的連接處發展邏輯。

　　(2)抽屜式設(shè)備的母線室方案、功能單元室和電纜室的空間。

　　(3)可觸及的門發展機遇、手柄和覆板創新延展。

　　以上三種部位均應(yīng)盡量選產(chǎn)生溫升高點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量。

　　當(dāng)溫度變化不超過(guò)1℃／h時(shí)，則可記錄其溫升值哪些領域。其值應(yīng)不超過(guò)有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定值支撐能力。裝置內(nèi)絕緣沒(méi)有破壞，元器件在設(shè)備內(nèi)的溫度條件下正常工作像一棵樹，則溫升試驗(yàn)合格協同控製。